SH8J66
-30V 双P沟道功率MOSFET
SH8J66
-30V 双P沟道功率MOSFET
复合型MOSFET (P+P) 采用微加工技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用领域。提供涵盖紧凑型、高功率型和复合型在内的广泛产品阵容，以满足市场各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-9
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0175
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
35
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
特点：
· 4V驱动型· 双P沟道中功率MOSFET
· 高速开关
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
