SH8K11
4V Drive Nch+Nch MOSFET
SH8K11
SH8K11
4V Drive Nch+Nch MOSFET
电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性:
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.09
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.1
Total gate charge Qg[nC]
1.9
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
5x6 (t=1.75)