SH8K11
4V驱动双N沟道MOSFET
SH8K11
4V驱动双N沟道MOSFET
复合型MOSFET (N+N) 采用微加工技术制成低导通电阻器件，可广泛应用于各类产品。产品阵容涵盖紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场中的各种需求。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.09
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.1
Total gate charge Qg[nC]
1.9
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
特点：
· 4V驱动型· 双N沟道中功率MOSFET
· 快速开关速度
· 小尺寸表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
