SH8K12
4V驱动 Dual N沟道MOSFET
SH8K12
4V驱动 Dual N沟道MOSFET
复合型MOSFET(N+N)通过微加工技术制成低导通电阻器件，可广泛应用于各种应用。产品阵容宽广，涵盖了小型、大功率和复合型等各种类型，以满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.045
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.03
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.045
Total gate charge Qg[nC]
4
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
特点：
· 4V驱动型· 双N沟道中功率MOSFET
· 开关速度快
· 小尺寸表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
