RE1C001UN
1.2V驱动N沟道MOSFET
RE1C001UN
1.2V驱动N沟道MOSFET
该MOSFET是采用微细加工技术实现超低导通电阻，适合低电流消耗的移动设备。产品阵容广泛，涵盖紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
4.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
2.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
特点：
· 低压 (1.2V) 驱动型· 小尺寸表面贴装封装
· 内置ESD保护二极管
· 无铅/符合RoHS标准
