RF4E070BN
4.5V驱动N沟道MOSFET
RF4E070BN
4.5V驱动N沟道MOSFET
功率MOSFET是采用微处理技术制造的低导通电阻器件，广泛适用于各种应用。产品阵容广，涵盖紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0308
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0308
Total gate charge Qg[nC]
4.6
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4009
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
特点：
・低导通电阻。・大功率小尺寸模压封装 (HUML2020L8)
・不含铅电镀；符合RoHS标准
・无卤素
