RF4E070GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
RF4E070GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
功率MOSFET采用微加工技术制造，具有低导通电阻，适用于多种应用。更广泛的产品阵容涵盖了紧凑型、大功率型和复合型，以满足市场上各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0164
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.023
Total gate charge Qg[nC]
2.2
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4515
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
特点：
・ 更低导通电阻。・ 大功率小模压封装(HUML2020L8)
・ 无铅引脚电镀；符合RoHS标准
・ 无卤素
