RF4E080BN
4.5V驱动 N沟道MOSFET
RF4E080BN
4.5V驱动 N沟道MOSFET
功率MOSFET采用微加工技术制成低导通电阻器件，可广泛应用于各种领域。提供涵盖小型、大功率、复合型等广泛的产品阵容，以满足市场各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0189
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0189
Total gate charge Qg[nC]
7.2
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4001
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
特点：
・低导通电阻。・大功率小尺寸模塑封装 (HUML2020L8)
・不含铅电镀；符合RoHS指令
・无卤
