4.5V驱动型 Nch MOSFET_RF4E080BN

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | RF4E080BNTR1
Status | 推荐品
封装 | HUML2020L8 (Single)
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

DFN2020-8S

Package Size[mm]

2.0x2.0 (t=0.6)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

8.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0189

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0135

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0189

Total gate charge Qg[nC]

7.2

Power Dissipation (PD)[W]

2.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4001

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・ Low on - resistance.
・ High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free