RJ1G04BBG
N沟道 40V 130A, TO-263AB, 功率MOSFET
RJ1G04BBG
N沟道 40V 130A, TO-263AB, 功率MOSFET
RJ1G04BBG是一款具有低导通电阻和高功率封装的功率MOSFET，适用于开关、电机驱动和DC-DC转换器。
主要规格
特性：
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
130
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0032
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0024
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0032
Total gate charge Qg[nC]
28
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
56
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
特点：
- 低导通电阻
- 高功率封装 (TO263AB)
- 无铅电镀; 符合RoHS标准
- 无卤素
- 通过 Rg 和 UIS 测试
