RJ1G10BBG
N沟道 40V 280A, TO-263AB, 功率MOSFET
RJ1G10BBG
N沟道 40V 280A, TO-263AB, 功率MOSFET
RJ1G10BBG是一款低导通电阻、大功率封装的功率MOSFET，适用于开关、电机驱动和DC-DC转换器。
主要规格
特性：
Package Code
TO-263AB
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
280
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.00132
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0011
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00132
Total gate charge Qg[nC]
105
Power Dissipation (PD)[W]
192
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
100
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
特点：
- 低导通电阻
- 大功率封装 (TO263AB)
- 无铅电镀; 符合RoHS标准
- 无卤素
- 经过 Rg和UIS测试
