RJ1P04BBH
N沟道 100V 80A, TO-263AB, 功率MOSFET
RJ1P04BBH
N沟道 100V 80A, TO-263AB, 功率MOSFET
RJ1P04BBH是一款具有低导通电阻和高功率小尺寸模塑封装的功率MOSFET，适用于开关应用。
主要规格
特性：
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0084
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0068
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0084
Total gate charge Qg[nC]
25
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
63
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
特点：
- 低导通电阻
- 高功率小型模塑封装(TO263AB)
- 无铅电镀; 符合RoHS标准
- UIS测试
