RQ3E080GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
RQ3E080GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
功率MOSFET采用微处理技术制成低导通电阻器件，广泛应用于各种领域。 提供涵盖紧凑型、大功率型和复杂型的广泛产品阵容，以满足市场中的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
18
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0175
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0129
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0175
Total gate charge Qg[nC]
2.8
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4513
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
・ 低导通电阻。・ 大功率封装 (HSMT8)
・ 无铅电镀 ; 符合RoHS标准
・ 无卤
