RQ3E180AJ
N沟道30V 18A中功率MOSFET
RQ3E180AJ
N沟道30V 18A中功率MOSFET
RQ3E180AJ为适用于开关应用的MOSFET，具有低导通电阻。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
18
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.0045
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0045
Total gate charge Qg[nC]
39
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 低导通电阻。
- 小型贴片封装。
- 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。
