RQ3E180GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
RQ3E180GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
功率MOSFET是采用微处理技术制成的低导通电阻器件，可用于广泛的应用。产品阵容涵盖了紧凑型、大功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0043
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0033
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0043
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4511
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
