RQ7C065UN (新产品)
N沟道 20V 6.5A, TSMT8, 功率MOSFET
RQ7C065UN (新产品)
N沟道 20V 6.5A, TSMT8, 功率MOSFET
RQ7C065UN是一款采用紧凑型表面贴装封装(TSMT8)的低导通电阻MOSFET，适用于开关、电机驱动和DC/DC转换器等应用。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
6.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.024
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.016
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.029
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特点：
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装 (TSMT8)
- 无铅电镀; 符合RoHS。
- 无卤
- 内置G-S保护二极管
