RS1E150GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
RS1E150GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，广泛适用于各种应用。产品阵容广，涵盖紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0088
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0088
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
22
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4503
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
特点：
- 低导通电阻
- 大功率封装（HSOP8）
- 无铅电镀，符合RoHS标准
- 无卤素
- Rg和UIS测试
