RS1E170GN
N沟道 30V 40A 功率MOSFET
RS1E170GN
N沟道 30V 40A 功率MOSFET
功率MOSFET是采用微处理技术制造的低导通电阻器件，可应用于各种领域。产品阵容广泛，涵盖紧凑型、大功率型和复杂型，可满足市场上的多样化需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0051
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0067
Total gate charge Qg[nC]
5.9
Power Dissipation (PD)[W]
23
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4501
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
特点：
- 低导通电阻
- 大功率封装 (HSOP8)
- 无铅引脚电镀；符合RoHS标准
- 无卤素
- Rg 和 UIS 测试
