RS1E200GN
N沟道30V 57A功率MOSFET
RS1E200GN
N沟道30V 57A功率MOSFET
功率MOSFET采用微处理技术制成低导通电阻器件，广泛适用于各种应用。产品阵容广泛，涵盖紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
57
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0047
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0047
Total gate charge Qg[nC]
7.8
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4509
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
特点：
- 低导通电阻
- 大功率封装(HSOP8)
- 无铅电镀;符合RoHS指令
- 无卤素
- Rg和UIS测试
