RS1E280GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
RS1E280GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
功率MOSFET采用微加工技术，实现了低导通电阻，广泛应用于各类产品。产品阵容涵盖紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0026
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.002
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0026
Total gate charge Qg[nC]
17.1
Power Dissipation (PD)[W]
31
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4508
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
特点：
- 低导通电阻
- 大功率封装 (HSOP8)
- 引脚镀层无铅；符合RoHS标准
- 无卤素
- Rg和UIS测试
