RS1G120MN
N沟道 40V 34A 功率MOSFET
RS1G120MN
N沟道 40V 34A 功率MOSFET
功率MOSFET是采用微处理技术制成的低导通电阻器件，广泛应用于各种领域。提供紧凑型、大功率型和复合型等广泛的产品阵容，可满足市场中各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
34
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0116
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0156
Total gate charge Qg[nC]
4.4
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
特点：
- 低导通电阻
- 大功率封装 (HSOP8)
- 无铅电镀，符合RoHS标准
- 无卤素
- Rg和UIS测试
