RSH065N06
4V驱动 N沟道MOSFET
RSH065N06
4V驱动 N沟道MOSFET
功率MOSFET采用微加工技术制造，具有低导通电阻特性，适用于多种应用。涵盖紧凑型、高功率型和复合型在内的宽广产品阵容，可满足市场上各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOP8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
6.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.024
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.031
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
特点：
· 4V驱动型· N沟道中功率MOSFET
· 开关速度快
· 小尺寸表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
