RU1C002UN
1.2V驱动N沟道MOSFET
RU1C002UN
1.2V驱动N沟道MOSFET
该MOSFET是采用微处理技术制成的超低导通电阻，适合低功耗的移动设备。产品阵容广泛，包括紧凑型、大功率型和复杂型，以满足市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-323FL
JEITA Package
SC-85
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
1.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=1.05)
特点：
· 低电压(1.2V)驱动型· N沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
