1.2V Drive Nch MOSFET_RUC002N05

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | RUC002N05T116
Status | 推荐品
封装 | SOT-23
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

SOT-23

Package Size[mm]

2.9x2.4 (t=0.95)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

50

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

2.4

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

2.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

2.4

Power Dissipation (PD)[W]

0.2

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・1.2V驱动型 Nch 小信号MOSFET