RUC002N05
1.2V驱动N沟道MOSFET
RUC002N05
1.2V驱动N沟道MOSFET
MOSFETs采用适合移动设备的微处理技术，实现了更低导通电阻，从而降低了功耗。产品阵容广泛，涵盖了紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
TO-236AB (SOT-23)
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.4x2.9 (t=1.2)
特点：
· 低压（1.2V）驱动型· N沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
