RQ3E075AT
P沟道 -30V -18A 中等功率MOSFET
RQ3E075AT
P沟道 -30V -18A 中等功率MOSFET
RQ3E075AT是一款用于开关应用的高功率小型模塑封装（HSMT8）MOSFET。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-18
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0174
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.026
Total gate charge Qg[nC]
10.4
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 低导通电阻。
- 高功率小型模塑封装 (HSMT8)
- 无铅电镀；符合RoHS标准。
- 无卤素
