RQ3N025AT
P沟道 -80V -2.5A, HSMT8, 功率MOSFET
RQ3N025AT
P沟道 -80V -2.5A, HSMT8, 功率MOSFET
RQ3N025AT是一款低导通电阻、大功率封装的功率MOSFET，适用于开关和电机驱动应用。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-80
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.185
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.22
Total gate charge Qg[nC]
8.2
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
28
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 低导通电阻
- 高功率小模封装 (HSMT8)
- 无铅电镀 ; 符合RoHS标准
- 无卤素
- Rg和UIS测试
