RQ6E030AT
P沟道 -30V -3A 中功率MOSFET
RQ6E030AT
P沟道 -30V -3A 中功率MOSFET
RQ6E030AT是小型表面贴装封装MOSFET。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-457T
JEITA Package
SC-95
Applications
Switching
Number of terminal
6
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.104
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.104
Total gate charge Qg[nC]
2.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.25
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x2.9 (t=1.0)
特点：
· 低导通电阻。· 小尺寸表面贴装封装（TSMT6）
· 无铅镀层；符合RoHS指令
