RQ7A070ZP (新产品)
P沟道 -12V -7A，TSMT8，功率MOSFET
RQ7A070ZP (新产品)
P沟道 -12V -7A，TSMT8，功率MOSFET
RQ7A070ZP是一款低导通电阻MOSFET，采用紧凑的表面贴装封装（TSMT8），适用于开关、电机驱动应用。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-12
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.011
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.008
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
58
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特点：
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装（TSMT8）
- 无铅电镀；符合RoHS指令
- 无卤
- 内置G-S保护二极管
- 低压驱动（1.5V）
