RRH090P03
4V 驱动 P 沟道 MOSFET
RRH090P03
4V 驱动 P 沟道 MOSFET
功率MOSFET利用微处理技术制成低导通电阻器件，可广泛应用于各种领域。阵容更广，涵盖了紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-9
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.011
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.017
Total gate charge Qg[nC]
30
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
