RU1E002SP
4V驱动P沟道MOSFET
RU1E002SP
4V驱动P沟道MOSFET
MOSFETs采用适合移动设备的微加工技术，实现了更低的导通电阻，可实现低电流消耗。提供更宽的产品阵容，包括紧凑型、大功率型和复合型，以满足市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-323FL
JEITA Package
SC-85
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-0.25
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=1.05)
特点：
· 4V驱动型· P沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
