BM6GD11BFJ-LB
隔离电压2500Vrms 1ch栅极驱动器，为GaN HEMT提供电流隔离
BM6GD11BFJ-LB
隔离电压2500Vrms 1ch栅极驱动器，为GaN HEMT提供电流隔离
该产品是工业设备市场中的高级产品，适合这些应用。BM6GD11BFJ-LB 是一款内置隔离的1通道栅极驱动器，能够高速驱动GaN HEMT。它具有2500 Vrms的隔离电压、60ns的更大输入/输出延迟时间以及65ns的更小输入脉冲宽度。源极和漏极侧的输出驱动引脚是分离的。这些引脚通过在GaN HEMT的栅极引脚之间插入电阻器，单独调整上升沿和下降沿的压摆率，从而生成开关波形。此外，在输入侧（VCC1和GND1之间）和输出侧（VCC2和GND2之间）分别内置了欠压锁定功能（UVLO）。
主要规格
特性：
Configuration
High-side,Low-side,Half-bridge
Isolation Type
Isolated
Isolation Voltage[Vrms]
2500
Channel
1
Vcc1(Min.)[V]
4.5
Vcc1(Max.)[V]
5.5
Vcc2(Min.)[V]
4.5
Vcc2(Max.)[V]
6
I/O Delay Time(Max.)[ns]
Rise=8ns(typ)/ Fall=8ns(typ)
Min. Input Pulse Width[ns]
65
CMTI (Min.)[kV/μs]
150
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Temperature Monitor
No
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.65)
特点：
- 内置电流隔离
- 欠压锁定功能
