BD3508MUV
4.3-5.5V 3A 1ch LDO
BD3508MUV
BD3508MUV
4.3-5.5V 3A 1ch LDO
BD3508MUV是用于能够实现从超低电压输入到超低电压输出的芯片组的线性稳压器。通过使用内置的N-MOSFET功率晶体管,能够充分在导通电阻(RONMAX=100mΩ)发生的电压差的超低输入输出电压差下使用。通过把输入输出电压差控制在很小的限度,能够实现大电流(Iomax=3.0A)输出、降低变换损耗,因此可以置换开关电源。BD3508MUV不需要开关电源必须的用于扼流圈和整流的二极管、功率晶体管,因此能够实现装置整体的成本降低和小型化。使用外置电阻能够设定0.65~2.7V的任意输出电压。另外,通过使用NRCS端子能够调整电压输出的起动时间,因此能够支持装置的电源时序。
主要规格
型号 | BD3508MUV-E2
Status |
可购买
封装 |
VQFN020V4040
包装数量 | 2500
最小独立包装数量 | 2500
包装形态 | Taping
RoHS |
Yes
特性:
Breakdown Voltage(Max.)[V]
6
ch
1
Vin(Min.)[V]
4.3
Vin(Max.)[V]
5.5
Vout (Typ.) [V]
0.65 to 2.7
Vin 2ch[V]
0.75 to Vcc-1
Vout Precision
±1.0
Iout(Max.)[A]
3
Circuit Current[mA]
0.7
Thermal Shut-down
Recover
Over Current Protection
Yes
Under Voltage Lock Out
Yes
Soft Start
Variable
Operating Temperature (Min.)[°C]
-10
Operating Temperature (Max.)[°C]
100
Package Size
4x4 (t=1)
特点:
・内置高精度标准电压电路(0.65V±1%)・内置VCC低输入防止误动作电路(VCC=3.80V)
・通过NRCS减少浪涌电流
・内置超低导通电阻(65mΩtyp)Nch Power MOSFET
・内置电流限制电路(3.0A min)
・内置热关断电路
・输出可变型(0.65~2.7V)
・采用高功率VQFN020V4040封装:4.0×4.0×0.9(mm)
・支持跟踪功能