ROHM Product Detail

SCT2H12NWB (新产品)

1700V, 3.9A, 7引脚SMD, SiC（碳化硅）MOSFET
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SCT2H12NWB
(新产品)

SCT2H12NWB (新产品)
1700V, 3.9A, 7引脚SMD, SiC（碳化硅）MOSFET

SCT2H12NWB是一款SiC（碳化硅）平面型MOSFET。（未内置SiC-SBD）特点包括高耐压、低导通电阻和快速开关速度。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | SCT2H12NWBTL1
Status | 推荐品
封装 | TO-263CA-7LSHYAD
包装形态 | Taping
包装数量 | 800
最小独立包装数量 | 800
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

3.9

Total Power Dissipation[W]

39

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.5x10.2 (t=4.7)

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特点：

  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 更宽的爬电距离 = 6.1 mm
  • 易于驱动
  • 无铅电镀; 符合RoHS指令
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