N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET_SCT3105KL

沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | SCT3105KLGC11
Status | 推荐品
封装 | TO-247N
包装数量 | 450
最小独立包装数量 | 30
包装形态 | Tube
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

105.0

Drain Current[A]

24.0

Total Power Dissipation[W]

134

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

特点:

・ Low on-resistance
・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant