SCT4020DTWHR (新产品)
750V、69A、9引脚SMD、沟槽结构、车载用碳化硅（SiC）MOSFET
SCT4020DTWHR (新产品)
750V、69A、9引脚SMD、沟槽结构、车载用碳化硅（SiC）MOSFET
此产品为TSC3PAK封装的碳化硅（SiC）MOSFET。TSC3PAK采用顶面散热结构，散热面位于封装顶部，其散热性能可媲美传统通孔封装，同时保持表面贴装设计。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，可在2级污染环境下支持1200V的AC峰值电压。这有助于高压应用中的可靠绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它是xEV中的车载充电器和电动压缩机、以及光伏逆变器和服务器电源的理想选择。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
20
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
69
Total Power Dissipation[W]
208
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 宽爬电距离 = 更低6.66mm
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引线镀层；符合RoHS标准
