SCT4036DEHR (新产品)
750V, 42A, 3引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC (碳化硅) MOSFET
SCT4036DEHR (新产品)
750V, 42A, 3引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC (碳化硅) MOSFET
符合AEC-Q101标准的车载产品。SCT4036DEHR是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
本系列产品与以往产品相比，导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅源电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联使用
- 简单驱动
- 无铅镀层；符合RoHS指令
