SCT4036DRHR (新产品)
750V, 42A, 4引脚THD沟槽型车载用SiC MOSFET
SCT4036DRHR (新产品)
750V, 42A, 4引脚THD沟槽型车载用SiC MOSFET
AEC-Q101认证的车载用产品。SCT4036DRHR是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。其特点包括耐高压、低导通电阻和快速开关速度。
ROHM第四代SiC MOSFET的优点
与传统产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅极-源极电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 通过AEC-Q101认证
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引线镀层；符合RoHS指令
