SCT4036DWA (新产品)
750V, 38A, 7引脚SMD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC)MOSFET
SCT4036DWA (新产品)
750V, 38A, 7引脚SMD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC)MOSFET
SCT4036DWA是碳化硅(SiC)沟槽MOSFET。具备高耐压、低导通电阻、高速开关等特点。
ROHM第4代SiC MOSFET的优势
该系列与常规产品相比,导通电阻降低约40%,开关损耗降低约50%。15V的栅源电压使应用设计更简便。
主要规格
特性:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
38
Total Power Dissipation[W]
115
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
特点:
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简便
- 无铅引脚电镀,符合RoHS标准
- 爬电距离宽 = 至少4.7mm
