ROHM Product Detail

SCT4036KTW (新产品)

1200V, 41A, 9引脚SMD, 沟槽结构, 碳化硅 (SiC) MOSFET
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SCT4036KTW
(新产品)

SCT4036KTW (新产品)
1200V, 41A, 9引脚SMD, 沟槽结构, 碳化硅 (SiC) MOSFET

本产品是采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK封装具备顶部散热结构，其散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相当的散热性能。此外，ROHM的专属沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，支持在2级污染环境下承受1200V的交流峰值电压。这有助于高压应用中更安全的绝缘设计和更高的可靠性。此外，本产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率并降低功耗。其非常适用于xEV中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | SCT4036KTWTCR
Status | 推荐品
封装 | TSC3PAK
包装形态 | Taping
包装数量 | 600
最小独立包装数量 | 600
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

36

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

41

Total Power Dissipation[W]

163

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

14.0x18.58 (t=3.625)

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特点：

  • 更宽的爬电距离 = 更低6.66mm
  • 低导通电阻
  • 高速开关
  • 更快的反向恢复
  • 易于并联
  • 驱动简单
  • 无铅引脚电镀；符合RoHS指令
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