SCT4045DTW (新产品)
750V, 33A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4045DTW (新产品)
750V, 33A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC（碳化硅）MOSFET
该产品是采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK封装的散热面位于封装顶部，具有顶部散热结构，实现了与传统通孔封装相当的散热性能，同时保持了表面贴装设计。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，支持2级污染环境中的1200V交流峰值电压。这有助于高压应用中的安全绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它是xEV中的车载充电器和电动压缩机以及光伏逆变器和服务器电源的理想选择。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
45
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
33
Total Power Dissipation[W]
106
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
特点：
- 更宽的爬电距离 = 更低6.66mm
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅镀层；符合RoHS标准
