SCT4050KRHR
1200V, 32A, 4引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4050KRHR
1200V, 32A, 4引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC（碳化硅）MOSFET
AEC-Q101认证的车规级产品。SCT4050KRHR是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有高耐压、低导通电阻、开关速度快等特点。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，该系列的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅极-源极电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- AEC-Q101认证
- 低导通电阻
- 开关速度快
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅镀层；符合RoHS指令
