SCT4062KTW (新产品)
1200V、25A、9 引脚SMD、沟槽结构、SiC MOSFET
SCT4062KTW (新产品)
1200V、25A、9 引脚SMD、沟槽结构、SiC MOSFET
本产品为采用 TSC3PAK 封装的 SiC MOSFET。TSC3PAK 采用顶部散热结构，散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相当的散热性能。此外，ROHM 专有的沟槽结构确保了 6.66mm 的爬电距离，能够在污染等级 2 的环境下支持 1200V 的交流峰值电压。这有助于高压应用的绝缘设计和更高可靠性。此外，本产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。本产品非常适用于 xEVs 中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
62
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
106
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
特点：
- 更宽爬电距离 = 更低 6.66mm
- 低导通电阻
- 高速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅电镀；符合 RoHS 标准
