SCT4062KTWHR (新产品)
1200V, 25A, 9引脚SMD, 沟槽结构, 车载用碳化硅(SiC)MOSFET
SCT4062KTWHR (新产品)
1200V, 25A, 9引脚SMD, 沟槽结构, 车载用碳化硅(SiC)MOSFET
该产品是一款采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK采用顶部散热结构，散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相当的散热性能。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，支持2级污染环境下1200V的交流峰值电压。这有助于高压应用中的安全绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它非常适用于xEVs中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
62
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
106
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 更宽爬电距离 = 更少6.66mm
- 更低导通电阻
- 更快速开关速度
- 更快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引脚镀层 ; 符合RoHS标准
