SCT4065DE (新产品)
750V, 25A, 3引脚THD, 沟槽结构SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4065DE (新产品)
750V, 25A, 3引脚THD, 沟槽结构SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4065DE是一款SiC（碳化硅）沟槽型MOSFET。具有高耐压、低导通电阻、快速开关速度等特点。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，该系列产品的导通电阻减少了约40%，开关损耗减少了约50%。15V栅极-源极电压使应用设计更简便。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特点：
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅引脚电镀；符合RoHS指令
