SCT4065DEHR (新产品)
750V, 25A, 3引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC(碳化硅) MOSFET
SCT4065DEHR (新产品)
750V, 25A, 3引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC(碳化硅) MOSFET
符合AEC-Q101的车载级产品。SCT4065DEHR是SiC(碳化硅)沟槽MOSFET。具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特点。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
本系列产品与以往产品相比，导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅极-源极电压使得应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅镀层；符合RoHS指令
