SCT4065DR (新产品)
750V, 25A, 4引脚THD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC)MOSFET
SCT4065DR (新产品)
750V, 25A, 4引脚THD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC)MOSFET
SCT4065DR是碳化硅(SiC)沟槽型MOSFET。它具有耐高压、低导通电阻和开关速度快等特点。
ROHM 第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，本系列产品的导通电阻减少约40%，开关损耗减少约50%。15V栅极-源极电压使应用设计更简单。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
特点：
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅镀层;符合RoHS
