SCT4065DWAHR
750V, 22A, 7引脚SMD，沟槽结构，车载用碳化硅(SiC) MOSFET
SCT4065DWAHR
750V, 22A, 7引脚SMD，沟槽结构，车载用碳化硅(SiC) MOSFET
符合AEC-Q101标准认证的车载等级产品。SCT4065DWAHR是碳化硅(Silicon Carbide)沟槽型MOSFET。其特点包括高耐压、低导通电阻和高速开关。ROHM第四代SiC MOSFET的优势：与传统产品相比，该系列导通电阻降低约40%，开关损耗降低约50%。15V的栅源电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
22
Total Power Dissipation[W]
71
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 宽爬电距离 = 至少4.7mm
