SCT4090KE
1200V, 19A, 3引脚THD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC) MOSFET
SCT4090KE
1200V, 19A, 3引脚THD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC) MOSFET
SCT4090KE是SiC(碳化硅)沟槽式MOSFET。其特点包括耐高压、低导通电阻和快速开关速度。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比, 该系列导通电阻降低了约40%, 开关损耗降低了约50%。15V栅极-源极电压使应用设计更轻松。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特点：
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅引线镀层; 符合RoHS标准
