SCT4090KR (新产品)
1200V, 19A, 4引脚THD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4090KR (新产品)
1200V, 19A, 4引脚THD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4090KR是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有耐高压、低导通电阻和高速开关等特点。
ROHM 第4代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，该系列产品的导通电阻减少约40%，开关损耗减少约50%。15V的栅源电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
特点：
- 低导通电阻
- 高速开关
- 高速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 引脚镀层无铅；符合RoHS标准
