SCT4090KRHR (新产品)
1200V, 19A, 4引脚THD，沟槽结构，车载用SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4090KRHR (新产品)
1200V, 19A, 4引脚THD，沟槽结构，车载用SiC（碳化硅）MOSFET
AEC-Q101合格的车载用产品。SCT4090KRHR是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有高耐压，低导通电阻，高速开关的特点。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
本系列产品与以往产品相比，导通电阻降低约40%，开关损耗降低约50%。15V的栅极-源极电压，可以使应用设计更轻松。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- AEC-Q101认证
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅镀层；符合RoHS指令
