SCT4090KWA (新产品)
1200V, 17A, 7引脚SMD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4090KWA (新产品)
1200V, 17A, 7引脚SMD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4090KWA是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。其特点包括高耐压、低导通电阻和快速开关速度。
ROHM第4代SiC MOSFET的优点
与传统产品相比，该系列导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅源电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
17
Total Power Dissipation[W]
71
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
特点：
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅镀层；符合RoHS指令
- 爬电距离更宽 = 更小 4.7mm
