SiC(碳化硅)功率模块_BSM180D12P3C007

使用罗姆公司生产SiC-UMOSFET的半桥构成SiC MOSFET模块。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | BSM180D12P3C007
Status | 推荐品
封装 | C
包装数量 | 12
最小独立包装数量 | 12
包装形态 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

180.0

Total Power Dissipation[W]

880

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

特点:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.